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cu2o糭s癈.u2oz'no基半导体异质结的制备与性能研究
96页发布时间:2015年6月21日
摘要摘要ZnO是本征n型宽带隙半导体,直接带隙,禁带宽度3.37eV,在可见光区域是透明的,且电子迁移率较高,在光电器件领域具有广阔的应用前景。然而制备稳定可靠的P型ZnO材料是目前研究的难点。Cu0本征为P型,直接带隙半导体,禁带宽度约.1eV,在可见光区域有较高的吸收系数,理论光电转化效率为0%,是很具潜力...
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